霍尔式曲轴位置传感器的特点是什么？

　　半导体或金属薄片置于磁场中，当有电流(与磁场垂直的薄片平面方向)流过时，在垂直于磁场和电流的方向上产生电动势，这种现象称为霍耳效应。

　　常用的霍耳材料锗(Ge)、硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等。N型锗容易加工制造，霍耳系数、温度性能、线性度较好;P型硅的线性度，霍耳系数、温度性能同N型锗，但电子迁移率较低，带负载能力较差，通常不作单个霍耳元件。利用霍耳效应可制成测量电流、磁场、位移、压力、压差、转速、转角等物理量的传感器。

　　霍耳式曲轴位置传感器具有工作可靠、正时精度高，工作频带宽、耐高温、耐潮湿、耐油污等优点，因而被汽车生产厂商广泛采用。